Target Sputtering Titanium Tungsten

1. Nama Atribut: Target Sputtering Paduan Khusus
2. Nama Produk: Target Sputtering Titanium Tungsten
3. Simbol Elemen:W + Ti
4. Kemurnian: 3N5, 4N, 4N5
5. Bentuk: Planar

Kirim permintaan

perkenalan produk

Target Sputtering Titanium Tungsten:

Target Sputtering Titanium Tungsten kami diproduksi menggunakan teknik manufaktur metalurgi serbuk mutakhir. Kami menawarkan target sputtering WTi dalam berbagai ukuran, hingga diameter 400 milimeter. Kami adalah salah satu produsen pertama yang menciptakan WTi sebagai target putar dan target planar. Kandungan titanium pada target WTi kami biasanya 10% berdasarkan berat.

Kepadatan	Lebih besar dari atau sama dengan 98%
Kemurnian	> 99.95%
Kandungan titanium	10% berat
Homogenitas distribusi titanium	± 0.5%
Struktur mikro	Butir halus, ukuran butir <50 µm

Target Sputtering Tungsten-titanium

Paduan tungsten-titanium

Area aplikasi untuk tungsten-titanium:
Tungsten-titanium (WTi), yang mengandung 10% titanium menurut beratnya, digunakan sebagai lem metalisasi dan penghalang difusi dalam microchip. Dalam hal ini, WTi digunakan untuk memisahkan lapisan metalisasi dan semikonduktor, seperti tembaga dari silikon atau aluminium dari silikon. Tanpa hambatan difusi, silikon dan tembaga akan bergabung untuk menciptakan fase intermetalik dalam mikrochip, yang akan mengganggu kinerja semikonduktor. Lapisan penghalang WTi digunakan dalam sel surya film tipis fleksibel (CIGS) untuk menghentikan ion besi berdifusi melalui kontak belakang molibdenum dan masuk ke semikonduktor. Efisiensi sel surya CIGS dapat sangat menurun hanya dengan beberapa g/g besi.

a.Metalurgi serbuk digunakan untuk membuat target sputtering titanium tungsten, yang banyak digunakan dalam pembuatan sel surya semikonduktor dan film tipis.

b.Film tipis WTi10wt% digunakan dalam aplikasi semikonduktor sebagai lapisan adhesi dan penghalang difusi untuk mengisolasi lapisan metalisasi dari semikonduktor, seperti tembaga atau aluminium dari silikon. Hasilnya, fungsi transistor dalam microchip dapat ditingkatkan secara signifikan.

c. Film tipis WTi10wt% juga digunakan dalam sel surya film tipis sebagai lapisan penghalang untuk menghentikan ion besi berdifusi dari substrat baja ke kontak belakang molibdenum dan semikonduktor CIGS. Target yang terbuat dari titanium tungsten juga digunakan untuk menutupi perkakas dan LED .

Dalam dua gambar, metalisasi semikonduktor flip chip menggunakan lapisan WTi ditunjukkan di bawah konstruksi skema sel surya CIGS di sebelah kiri.

Tungsten Titanium Sputtering Targets picture 1

Kualitas lapisan meningkat seiring dengan kemurnian bahan pelapis. Untuk memastikan tingkat kemurnian bahan tertinggi, kami hanya menggunakan bubuk paling murni dan mencampurkannya di fasilitas kami sendiri sejak awal. Dari bubuk hingga produk jadi, kami memantau setiap tahap dengan cermat untuk memastikan bahwa hanya target dengan kepadatan terjamin, kemurnian, dan struktur mikro homogen yang tepat yang keluar dari fasilitas kami.

Pabrik kami mampu memproduksi target dengan WTi 90/10wt%, WTi 85/15wt%, dan Target Sputtering Tungsten Titanium dengan komposisi khusus yang dapat disesuaikan. Kepadatan target sebenarnya adalah > 99%, dan ukuran butir tipikal adalah 100um. Pengguna akhir dapat mencapai tingkat erosi yang konstan dan kemurnian tinggi serta lapisan film tipis yang homogen selama proses PVD dengan kemurnian hingga 4N5 dan perlakuan anil khusus, ukuran butir seragam, dan kandungan gas yang berkurang.

Jika Anda memiliki kebutuhan atau pertanyaan, jangan ragu untuk menghubungi kami.