Bahan target memiliki beragam aplikasi, jendela pengembangan pasar yang luas, dan aplikasi yang sangat baik di berbagai disiplin ilmu. Untuk mempercepat ionisasi gas argon di sekitar target dan meningkatkan kemungkinan tabrakan antara target dan ion argon, hampir semuanya perangkat sputtering modern menggunakan magnet yang kuat untuk menggerakkan elektron dalam gerakan spiral.
Meningkatkan tingkat kemacetan. Meskipun bahan keramik non-konduktif biasanya menggunakan sputtering RF AC, lapisan logam biasanya menggunakan sputtering DC. Ide dasarnya adalah untuk memberikan dampak ion argon (Ar) pada target menggunakan pelepasan cahaya dalam ruang hampa. Kation plasma akan memuntahkan material ke permukaan elektroda negatif saat mereka berakselerasi di sana. Bahan target akan terbang saat bersentuhan dan mengendap di substrat untuk membuat lapisan tipis.
Secara umum penerapan metode sputtering untuk pelapisan film memiliki ciri-ciri sebagai berikut:
(1) Bahan film dapat dibuat dari logam, paduan, atau isolator.
(2) Target yang banyak dan kompleks dapat digunakan untuk membuat film tipis dengan komposisi yang sama jika terdapat kondisi yang tepat.
(3) Bahan sasaran dan molekul gas dapat dicampur atau diperparah dengan memasukkan oksigen atau gas aktif lainnya ke atmosfer pelepasan.
(4) Ketebalan film presisi tinggi dapat diperoleh dengan mudah dengan mengontrol arus masukan sasaran dan waktu sputtering.
(5) Metode ini lebih cocok untuk pembuatan film seragam dengan area luas jika dibandingkan dengan metode lainnya.
(6) Lokasi target dan substrat dapat diatur secara bebas, dan partikel yang tergagap pada dasarnya tidak terpengaruh oleh gravitasi.
